بررسی نواحی در ترانزیستور؛ آموزش کامل الکترونیک؛ فصل 5؛ جلسه 3

سلام و عرض ادب خدمت شما دوستان عزیزم؛ حالتون که امیدوارم عالی هست؛ امروز هم در ادامه مطالب جلسات قبل می خواهیم به بررسی نواحی در ترانزیستور بپردازیم. پس تا انتها همراه ما بمانید.

بررسی نواحی در ترانزیستور

ناحیه ی قطع: در ناحیه ی قطع هر دو پیوند BE و BC بایاس معکوس هستند. در این حالت است.

ناحیه ی اشباع: در ناحیه ی اشباع هر دو پیوند BE و BC بایاس مستقیم هستند. مشاهده می کنیم که در ناحیه ی اشباع جریان کلکتور به شدت به ولتاژ V_CB وابسته است. دقت کنید که در ناحیه ی اشباع ممکن است جریان کلکتور معکوس هم بشود.

ناحیه ی فعال: در ناحیه ی فعال پیوند BE ایاس مستقیم و پیوند BC بایاس معکوس است. در ناحیه ی فعال جریان I_C از رابطه ی روبرو به دست می آید:

بر اساس روابط باال، به نظر می رسد که جریان کلکتور هیچ وابستگی به  V_CB ندارد ولی به ازای یک مقدار ثابت I_E جریان I_C کامالا ثابت نبوده و با افزایش V_CB کمی افزایش می یابد. به عبارتی شیب منحنی در ناحیه ی فعال صفر نیست و این منحنی ها شیب کمی دارند. دلیل این امر این است که ضریب α در رابطه ی ثابت نبوده و با تغییر  V_CB تغییر می کند. در حقیقت α با افزایش  V_CB افزایش پیدا می کند. دلیل افزایش α این است که با افزایش  V_CB عمال ولتاژ معکوس پیوند CB افزایش پیدا کرده ، در نتیجه عرض ناحیه ی تهی افزایش یافته و عرض موثر بیس کاهش می یابد.

با کاهش عرض موثر بیس احتمال ترکیب حامل های تزریقی در بیس کاهش یافته و در نتیجه حامل های تزریقی بیشتری به کلکتور می رسد یعنی با افزایش  V_CB جریان I_C  هم افزایش می یابد (در حقیقت α افزایش یافته و در نتیجه I_C نیز افزایش می یابد.) این پدیده را مدوالسیون عرض بیس یا اثر ارلی (Early effect) می نامند.

روابط بالا رو جمع بندی کنیم:

برای این جلسه یک مثال هم براتون در نظر گرفتم که برای دیدن اون توصیه میکنم از این لینک اقدام کنید. سعی کنید مثال این جلسه را اول خودتان حل کنید و بعد برای دیدن پاسخ، می توانید به کانال یوتیوب ما و یا فروشگاه وبسایت مراجعه کنید.

سپاسگزار همراهی شما عزیزان هستیم.